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半導体ピコ秒パルスレーザー

PiLasの技術

PiLasゲインスイッチバージョンは、GHzレンジでLDに対し典型的な緩和振動を使います。これは反転分布と光場の間でダイナミックな相互作用をもたらします。短い電気ポンプパルスはタイムディレイにより振幅を発生させます。タイムディレイはLD固有の構造や材料特性に依存します。電気パルス幅は、最初の緩和振動のみ始まるように調節されています。短電気ポンプパルスは、しきい値よりかなり高くなるようにゲインを発生します。その結果、高出力の単一レーザーパルスとなります。この特性は「ゲインスイッチング」とも呼ばれ、固体レーザーのスパイクに似た特徴を示します。

The gain switched version of the PiLas uses the typical relaxation oscillations for laser diodes in the GHz range. They result from the dynamic interaction between the inverted population and the optical field. A short electrical pump pulse generates the oscillations with a time delay which depends on the intrinsic structure and material property of the laser diode. The electrical pulse width is adjusted, so that only the first relaxation oscillation can start. The short electrical pump pulse causes the gain to go considerably above threshold. The result is a single laser pulse with comparatively high output power. This behavior is also called “gain switching" and is similar in character to spiking in solid state lasers.

Development of a laser pulse左のグラフは電気ポンプパルスからのレーザーパルス発展の過程です。
The picture illustrates the development of a laser pulse from the electrical pump pulse (electrical current and the resulting carrier density versus laser threshold show the time window for laser activity)

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