高速フォトダイオード・バランスフォトダイオード
InGaAs PIN & PIN+TIA to 50 GHz
Discovery Semiconductorsは、1997年にテキサス州ダラスで開催されたOptical Fiber Communication Conference（OFC）にて、商用化された最初の40 GbデュアルデプションInGaAs/InP p-i-nフォトダイオードを発表しました。それ以来、当社は革新的なデュアルデプションフォトダイオードの設計を拡張し、40Gb用のバランスフォトダイオードや最大60 GHzまでの超高速フォトダイオードなどの最先端製品を開発してきました。現在、当社の40 Gb製品ラインは、PIN+TIAフォトレシーバ（リニアアンプとリミッティングアンプを含む）に進化しています。これらのフォトレシーバは、1064 nmから1650 nmまでのシングルモードにおいて最大40Gbの動作が可能で、さらに850 nmのマルチモードアプリケーション向けに最大25 Gbにも対応しています。25 Gbのデータレート向けには、これらのフォトレシーバにオプションのクロックリカバリ（CDR）を搭載可能です。また、40GbのDPSK/DQPSKシステム用の40Gb統合バランスフォトレシーバも提供しています。多忙なテストステーションや学生実験室では、誤操作により壊れやすい高価な光電子機器を扱うユーザー向けに、フォトダイオードを当社のプラグアンドプレイBOXオプション「Lab Buddy」にマウントして販売しています。
・低群遅延
・低高調波歪み
・低PDL（typ. 0.05dB）
・ワイドな波長レンジ 1064-1650nm
・テレコム、ミリタリー、宇宙規格準拠
・差動 or シングルエンドRF出力
・低PDL（typ. 0.05dB）
・ワイドな波長レンジ 1064-1650nm
・同相信号除去比 > 30dB
・ワイドな波長レンジ 1064-1650nm
・RIN & ASEノイズキャンセリング
・偶数次高調波の抑制
・ハイパワーハンドリング
・ACフォトカレントモニター用ピーク検出機能
・高い差動変換ゲイン
・差動 or シングルエンドRF出力
