Spark X

半導体不良解析レーザーシステム
半導体不良解析・材料特性解析用

Spark Xは半導体欠陥検査、その他の材料特性化の用途に開発されました。波長1250 - 1310 nmでの短パルスを出力、バーストモードで駆動できるようパルスピッカーを内蔵しています。

Spark OPO spectrum

Specifications

波長 1280 +/- 30 nm
平均パワー up to 10 mW
パルス幅 < 200 fs
スペクトル帯域 > 8 nm
基本波繰り返し周波数 100 MHz (140Hz RMS, 50 hours) - lockable to external 100-MHz clock. Active rep. frequency control included to compensate for long-term environmental drift
Fiber based EOM Pulse picker and driver included and integrated into the system and operates from 1 kHz up to 100 MHz.
ポンプレーザー Fully integrated Spark-HP laser oscillator
ビーム品質 Diffraction limited FC-APC fibre output, linearly polarized
制御インターフェース Ethernet, and web page
Serial port (for control via LabView/MatLab)
寸法 770 x 300 x 110 mm (laser head)
483 x 285 x 172 mm (control unit)
重量 18 kg (laser head)
4 kg (control unit)
電気 Voltage 110 - 240 V AC
Frequency 50 - 60 Hz
Power 0.65 kW
冷却方式 Air cooled

PDFカタログ

波長の選択

Spark Xは1.28 μmの光を出力します。この特定の近赤外波長を短パルスで出力できる性能は、半導体ウエハーの2光子イメージングのキーポイントです。ウエハー材料のバンドギャップエネルギーが越えられる必要がありますが、これは1.2 μmを越えると起こります。

高ビーム品質のファイバー出力

ファイバー出力は、顕微鏡システムや実験設備に容易に組み込むことが可能です。空間ビームが必要な用途向けのコリメーション出力も問題ございません。

省スペース

ポンプレーザー、波長変換モジュール、パルスピッカー全てをモノリシックなベースプレートに統合し、770mm x 300 mmのコンパクトなシステムを実現しました。Spark Xは個々のモジュールに置き換わり、ラボベンチの過密状況を解消する助けとなります。

低コストでの所有

今までのレーザーシステムの複雑な問題点を排除して、その一方で業界に求められる高い性能を維持することを念頭に開発されたレーザーは、他のレーザーに比べて低コストにて入手することができます。

高い信頼性

高グレードのアルミニウムの塊から加工されたSpark Xは、秀逸なビーム品質・信頼性を持つように設計されました。これはポンプレーザーとパルスピッカーを組み込んだ事、水冷の必要性をなくした事などの工夫により実現しました。

柔軟性

直感的に操作可能なWebベースのユーザーインターフェースは、簡単に操作が可能です。ですので使用時にレーザーの傍にいる必要はありません。

容易に組込可能

外部信号に同期できるので、Spark Xはパルス繰り返し周波数安定性が重要な幅広い用途に容易に組み込むことができます。

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